货期:(7~10天)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥3.842848 | ¥9607.12 |
5000 | ¥3.458575 | ¥17292.88 |
12500 | ¥3.202434 | ¥40030.42 |
25000 | ¥3.151156 | ¥78778.90 |
62500 | ¥3.074303 | ¥192143.94 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 22 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 68 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
正向跨导(Min) 36 S
上升时间 19 ns
晶体管类型 Single N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM220NB06LCR
单位重量 372.608 mg
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0TSM220NB06LCR RLG
型号:TSM220NB06LCR RLG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥3.842848 |
5000+: | ¥3.458575 |
12500+: | ¥3.202434 |
25000+: | ¥3.151156 |
62500+: | ¥3.074303 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00