STD65N3LLH5
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- 制造商编号：
- STD65N3LLH5
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N CH 30V 65A DPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.603144 | ￥12.60 |
| 10 | ￥11.305762 | ￥113.06 |
| 25 | ￥10.725029 | ￥268.13 |
| 100 | ￥8.043772 | ￥804.38 |
| 250 | ￥7.967164 | ￥1991.79 |
| 500 | ￥6.818054 | ￥3409.03 |
| 1000 | ￥5.554033 | ￥5554.03 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STD65N3LLH5
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N CH 30V 65A DPAK
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
STripFET™ V
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
65A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
6.9mOhm @ 32.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
8nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±22V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1290pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
50W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
STD65N3LLH5 同类别型号
注
STD65N3LLH5品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STD65N3LLH5
数据手册PDF。
STD65N3LLH5
型号：STD65N3LLH5
品牌：ST
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥12.603144 |
| 10+： | ￥11.305762 |
| 25+： | ￥10.725029 |
| 100+： | ￥8.043772 |
| 250+： | ￥7.967164 |
| 500+： | ￥6.818054 |
| 1000+： | ￥5.554033 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥12.60