
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥109.653431 | ¥109.65 |
| 10 | ¥99.042264 | ¥990.42 |
| 100 | ¥81.996399 | ¥8199.64 |
| 500 | ¥71.401951 | ¥35700.98 |
| 1000 | ¥69.098662 | ¥69098.66 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 74 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 12 S
上升时间 46 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 54 ns
典型接通延迟时间 28 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0SIHG065N60E-GE3
型号:SIHG065N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥109.653431 |
| 10+: | ¥99.042264 |
| 100+: | ¥81.996399 |
| 500+: | ¥71.401951 |
| 1000+: | ¥69.098662 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥109.65