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DMN10H120SFG-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN10H120SFG-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI
渠道:
digikey

库存 :60281

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 5.607323 5.61
10 4.909524 49.10
100 3.398039 339.80
500 2.839301 1419.65
1000 2.65887 2658.87

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 3.8 A

漏源电阻 68 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.5 V

栅极电荷 10.6 nC

耗散功率 1 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

晶体管类型 1 N-Channel

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 30 mg

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DMN10H120SFG-7

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型号:DMN10H120SFG-7

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:60281 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥5.607323
10+: ¥4.909524
100+: ¥3.398039
500+: ¥2.839301
1000+: ¥2.65887

货期:7-10天

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