货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥9.637698 | ¥9.64 |
10 | ¥8.45152 | ¥84.52 |
25 | ¥7.942452 | ¥198.56 |
100 | ¥5.764085 | ¥576.41 |
250 | ¥5.559223 | ¥1389.81 |
500 | ¥4.816378 | ¥2408.19 |
1000 | ¥4.098988 | ¥4098.99 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 22 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 68 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
正向跨导(Min) 36 S
上升时间 19 ns
晶体管类型 Single N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM220NB06LCR
单位重量 372.608 mg
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0TSM220NB06LCR RLG
型号:TSM220NB06LCR RLG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
1+: | ¥9.637698 |
10+: | ¥8.45152 |
25+: | ¥7.942452 |
100+: | ¥5.764085 |
250+: | ¥5.559223 |
500+: | ¥4.816378 |
1000+: | ¥4.098988 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.64