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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 32 V
集电极—基极电压 - 40 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 125 mV
最大直流电集电极电流 - 1 A
耗散功率 1 W
增益带宽产品 190 MHz
直流集电极 120
技术 Si
高度 1.5 mm
长度 4.5 mm
宽度 2.48 mm
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 52 mg
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02DB1132Q-13
型号:2DB1132Q-13
品牌:DIODES
供货:锐单
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