货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥102.027058 | ¥102.03 |
10 | ¥92.126138 | ¥921.26 |
100 | ¥76.269578 | ¥7626.96 |
500 | ¥66.41416 | ¥33207.08 |
1000 | ¥60.067124 | ¥60067.12 |
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 31 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 190 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 21 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0UF3C065080K4S
型号:UF3C065080K4S
品牌:SiC
供货:锐单
单价:
1+: | ¥102.027058 |
10+: | ¥92.126138 |
100+: | ¥76.269578 |
500+: | ¥66.41416 |
1000+: | ¥60.067124 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥102.03