SI7884BDP-T1-E3
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- 制造商编号：
- SI7884BDP-T1-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：1864
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥59.249917 | ￥59.25 |
| 10 | ￥38.853399 | ￥388.53 |
| 100 | ￥27.271631 | ￥2727.16 |
| 500 | ￥24.343988 | ￥12171.99 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI7884BDP-T1-E3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
58A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
7.5mOhm @ 16A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
77nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3540pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
4.6W (Ta), 46W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
SI7884BDP-T1-E3 同类别型号
注
SI7884BDP-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF。
SI7884BDP-T1-E3
型号：SI7884BDP-T1-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：1864 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥59.249917 |
| 10+： | ￥38.853399 |
| 100+： | ￥27.271631 |
| 500+： | ￥24.343988 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥59.25