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SI3437DV-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI3437DV-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP
渠道:
digikey

库存 :3721

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1+ : 需询价

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 150 V

漏极电流 1.4 A

漏源电阻 750 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 4 V

栅极电荷 8 nC

耗散功率 3.2 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 14 ns

上升时间 29 ns

晶体管类型 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 28 ns

典型接通延迟时间 14 ns

外形参数

高度 1.1 mm

长度 3.05 mm

宽度 1.65 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI3437DV-T1-BE3 SI3437DV-GE3

单位重量 20 mg

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SI3437DV-T1-GE3

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型号:SI3437DV-T1-GE3

品牌:SILICONIX

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