
货期:国内(1~3工作日)
起订量:8000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 8000 | ¥0.252032 | ¥2016.26 |
| 16000 | ¥0.227915 | ¥3646.64 |
| 24000 | ¥0.215603 | ¥5174.47 |
| 40000 | ¥0.201777 | ¥8071.08 |
| 56000 | ¥0.19357 | ¥10839.92 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 250 mA
漏源电阻 2.2 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 36 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 0.5 mm
长度 1.2 mm
宽度 0.8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.500 mg
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0SSM3K37MFV,L3F
型号:SSM3K37MFV,L3F
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 8000+: | ¥0.252032 |
| 16000+: | ¥0.227915 |
| 24000+: | ¥0.215603 |
| 40000+: | ¥0.201777 |
| 56000+: | ¥0.19357 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00