货期:(7~10天)
起订量:500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
500 | ¥21.891331 | ¥10945.67 |
1000 | ¥20.675027 | ¥20675.03 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 84 A
漏源电阻 10.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 65 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 70 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPP120N20NFD SP001108122
单位重量 2 g
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0IPP120N20NFDAKSA1
型号:IPP120N20NFDAKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
500+: | ¥21.891331 |
1000+: | ¥20.675027 |
货期:7-10天
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