货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.560211 | ¥5.56 |
10 | ¥4.522304 | ¥45.22 |
25 | ¥4.131854 | ¥103.30 |
100 | ¥2.596001 | ¥259.60 |
250 | ¥2.566594 | ¥641.65 |
500 | ¥2.403247 | ¥1201.62 |
1000 | ¥1.634208 | ¥1634.21 |
2500 | ¥1.566991 | ¥3917.48 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 190 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 2.4 nC
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 P-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RW1A013ZP
单位重量 6 mg
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0RW1A013ZPT2R
型号:RW1A013ZPT2R
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.560211 |
10+: | ¥4.522304 |
25+: | ¥4.131854 |
100+: | ¥2.596001 |
250+: | ¥2.566594 |
500+: | ¥2.403247 |
1000+: | ¥1.634208 |
2500+: | ¥1.566991 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.56