
货期:国内(1~3工作日)
起订量:250
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ¥4.008535 | ¥1002.13 |
| 500 | ¥3.542393 | ¥1771.20 |
| 1250 | ¥2.796575 | ¥3495.72 |
| 2500 | ¥2.610163 | ¥6525.41 |
| 6250 | ¥2.479652 | ¥15497.83 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 10.2 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 11.2 nC
耗散功率 1.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 15 S
湿度敏感性 Yes
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 0.62 mm
长度 1.5 mm
宽度 1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.700 mg
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0CSD13306WT
型号:CSD13306WT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 250+: | ¥4.008535 |
| 500+: | ¥3.542393 |
| 1250+: | ¥2.796575 |
| 2500+: | ¥2.610163 |
| 6250+: | ¥2.479652 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00