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CSD13306WT

TI(德州仪器)
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制造商编号:
CSD13306WT
制造商:
TI(德州仪器)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:250

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
250 4.008535 1002.13
500 3.542393 1771.20
1250 2.796575 3495.72
2500 2.610163 6525.41
6250 2.479652 15497.83

规格参数

关键信息

制造商 Texas Instruments

商标名 NexFET

商标 Texas Instruments

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 12 V

漏极电流 3.5 A

漏源电阻 10.2 mOhms

栅极电压 - 10 V, + 10 V

栅源极阈值电压 700 mV

栅极电荷 11.2 nC

耗散功率 1.9 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 8 ns

正向跨导(Min) 15 S

湿度敏感性 Yes

上升时间 11 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 20 ns

典型接通延迟时间 7 ns

外形参数

高度 0.62 mm

长度 1.5 mm

宽度 1 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 1.700 mg

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CSD13306WT

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型号:CSD13306WT

品牌:TI

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

250+: ¥4.008535
500+: ¥3.542393
1250+: ¥2.796575
2500+: ¥2.610163
6250+: ¥2.479652

货期:1-2天

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