
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥21.417439 | ¥21.42 |
| 10 | ¥13.508285 | ¥135.08 |
| 100 | ¥8.95249 | ¥895.25 |
| 500 | ¥7.077546 | ¥3538.77 |
| 1000 | ¥6.380103 | ¥6380.10 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 76 A
漏源电阻 8.9 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 650 mV
栅极电荷 7.5 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 P-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 0.9 mm
长度 3.15 mm
宽度 3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 27.800 mg
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0CSD25402Q3A
型号:CSD25402Q3A
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥21.417439 |
| 10+: | ¥13.508285 |
| 100+: | ¥8.95249 |
| 500+: | ¥7.077546 |
| 1000+: | ¥6.380103 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥21.42