货期:国内(1~3工作日)
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1000 | ¥10.343756 | ¥10343.76 |
2000 | ¥10.19281 | ¥20385.62 |
5000 | ¥9.286771 | ¥46433.85 |
10000 | ¥9.060243 | ¥90602.43 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 20.2 A
漏源电阻 170 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 63 nC
耗散功率 151 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 110 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB60R190C6 SP000641916
单位重量 4 g
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0IPB60R190C6ATMA1
型号:IPB60R190C6ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥10.343756 |
2000+: | ¥10.19281 |
5000+: | ¥9.286771 |
10000+: | ¥9.060243 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00