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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 62 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 130 nC
耗散功率 298 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 335 ns
正向跨导(Min) 55 S
上升时间 395 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 245 ns
典型接通延迟时间 75 ns
高度 20.1 mm
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 QFET
零件号别名 FQA62N25C_NL
单位重量 4.600 g
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0FQA62N25C
型号:FQA62N25C
品牌:ON
供货:锐单
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