SIHD2N80E-GE3
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- 制造商编号：
- SIHD2N80E-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥9.933181 | ￥9.93 |
| 10 | ￥8.864508 | ￥88.65 |
| 100 | ￥6.912124 | ￥691.21 |
| 500 | ￥5.710004 | ￥2855.00 |
| 1000 | ￥4.507952 | ￥4507.95 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 2.8 A
漏源电阻 2.38 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 9.8 nC
耗散功率 62.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 11 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
SIHD2N80E-GE3 同类别型号
注
SIHD2N80E-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SIHD2N80E-GE3、查询SIHD2N80E-GE3代理商；
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替代型号
、SIHD2N80E-GE3
数据手册PDF。
SIHD2N80E-GE3
型号：SIHD2N80E-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥9.933181 |
| 10+： | ￥8.864508 |
| 100+： | ￥6.912124 |
| 500+： | ￥5.710004 |
| 1000+： | ￥4.507952 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥9.93