
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥157.679974 | ¥157.68 |
| 10 | ¥144.915405 | ¥1449.15 |
| 25 | ¥138.911382 | ¥3472.78 |
| 100 | ¥120.137124 | ¥12013.71 |
| 250 | ¥116.382838 | ¥29095.71 |
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 41 A
漏源电阻 52 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 176 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.414 g
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0UF3C065040B3
型号:UF3C065040B3
品牌:SiC
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥157.679974 |
| 10+: | ¥144.915405 |
| 25+: | ¥138.911382 |
| 100+: | ¥120.137124 |
| 250+: | ¥116.382838 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥157.68