NSS60100DMTTBG
库存 ：6000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.647031 | ￥5.65 |
| 200 | ￥2.196068 | ￥439.21 |
| 500 | ￥2.113509 | ￥1056.75 |
| 1000 | ￥2.080486 | ￥2080.49 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 60 V
集电极—基极电压 60 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 - 0.3 V
耗散功率 2.27 W
增益带宽产品 155 MHz
集电极连续电流 1 A
直流集电极 90
直流电流增益（Max） 140
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 17 mg
NSS60100DMTTBG 同类别型号
注
NSS60100DMTTBG
型号：NSS60100DMTTBG
品牌：ON
供货：锐单
库存：6000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.647031 |
| 200+： | ￥2.196068 |
| 500+： | ￥2.113509 |
| 1000+： | ￥2.080486 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.65