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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 110 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 -
耗散功率 600 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.8 ns
上升时间 3.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19.6 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN2230U-7
型号:DMN2230U-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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