
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥13.309409 | ¥13.31 |
| 10 | ¥8.934132 | ¥89.34 |
| 100 | ¥6.151395 | ¥615.14 |
| 500 | ¥4.894498 | ¥2447.25 |
| 1000 | ¥4.481141 | ¥4481.14 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 10.3 A
漏源电阻 12.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 26.6 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11.7 ns
上升时间 9.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27.6 ns
典型接通延迟时间 6.2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMN6013LFG-7
型号:DMN6013LFG-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥13.309409 |
| 10+: | ¥8.934132 |
| 100+: | ¥6.151395 |
| 500+: | ¥4.894498 |
| 1000+: | ¥4.481141 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.31