CSD13306WT
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- 制造商编号：
- CSD13306WT
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
- 渠道：
- digikey
库存 ：2795
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥13.021348 | ￥13.02 |
| 10 | ￥11.624513 | ￥116.25 |
| 100 | ￥9.062858 | ￥906.29 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 10.2 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 11.2 nC
耗散功率 1.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导（Min） 15 S
湿度敏感性 Yes
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 7 ns
外形参数
高度 0.62 mm
长度 1.5 mm
宽度 1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.700 mg
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注
CSD13306WT品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、CSD13306WT
数据手册PDF
。
CSD13306WT
型号：CSD13306WT
品牌：TI
供货：锐单
库存：2795 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥13.021348 |
| 10+： | ￥11.624513 |
| 100+： | ￥9.062858 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥13.02