STD11NM65N
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- STD11NM65N
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N CH 650V 11A DPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：10000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥46.32645 | ￥46.33 |
| 10 | ￥41.608802 | ￥416.09 |
| 100 | ￥34.095982 | ￥3409.60 |
| 500 | ￥29.025293 | ￥14512.65 |
| 1000 | ￥27.81712 | ￥27817.12 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STD11NM65N
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N CH 650V 11A DPAK
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
MDmesh™ II
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
455mOhm @ 5.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
29nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
800pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
STD11NM65N 同类别型号
注
STD11NM65N品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购STD11NM65N、查询STD11NM65N代理商；
STD11NM65N价格批发咨询客服；这里拥有
STD11NM65N中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到STD11NM65N
替代型号
、STD11NM65N
数据手册PDF。
STD11NM65N
型号：STD11NM65N
品牌：ST
供货：锐单
库存：10000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥46.32645 |
| 10+： | ￥41.608802 |
| 100+： | ￥34.095982 |
| 500+： | ￥29.025293 |
| 1000+： | ￥27.81712 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥46.33