
货期:国内(1~3工作日)
起订量:4000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 4000 | ¥0.567526 | ¥2270.10 |
| 8000 | ¥0.543983 | ¥4351.86 |
| 12000 | ¥0.489537 | ¥5874.44 |
| 28000 | ¥0.482297 | ¥13504.32 |
| 100000 | ¥0.448806 | ¥44880.60 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.6 A
漏源电阻 250 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 4.7 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 P-Channel
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 36 mg
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0SSM6J213FE(TE85L,F
型号:SSM6J213FE(TE85L,F
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 4000+: | ¥0.567526 |
| 8000+: | ¥0.543983 |
| 12000+: | ¥0.489537 |
| 28000+: | ¥0.482297 |
| 100000+: | ¥0.448806 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00