
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥12.697482 | ¥12.70 |
| 10 | ¥8.521082 | ¥85.21 |
| 100 | ¥5.86073 | ¥586.07 |
| 500 | ¥4.656153 | ¥2328.08 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 285 V
漏极电流 265 mA
漏源电阻 10 Ohms
栅极电压 - 40 V, + 40 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 3.45 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7.85 ns
正向跨导(Min) 80 mS
上升时间 3.78 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 17.5 ns
典型接通延迟时间 1.53 ns
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 112 mg
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0ZVP4525GTA
型号:ZVP4525GTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥12.697482 |
| 10+: | ¥8.521082 |
| 100+: | ¥5.86073 |
| 500+: | ¥4.656153 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.70