货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥55.488806 | ¥55.49 |
10 | ¥50.138589 | ¥501.39 |
100 | ¥41.507683 | ¥4150.77 |
500 | ¥36.14445 | ¥18072.22 |
1000 | ¥31.480649 | ¥31480.65 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 93 A
漏源电阻 17.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 180 nC
耗散功率 520 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 110 ns
正向跨导(Min) 100 S
上升时间 160 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 57 ns
典型接通延迟时间 36 ns
高度 20.7 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFP4768PBF SP001571028
单位重量 6 g
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0IRFP4768PBF
型号:IRFP4768PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥55.488806 |
10+: | ¥50.138589 |
100+: | ¥41.507683 |
500+: | ¥36.14445 |
1000+: | ¥31.480649 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥55.49