
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥42.643087 | ¥42.64 |
| 30 | ¥34.033843 | ¥1021.02 |
| 120 | ¥30.451765 | ¥3654.21 |
| 510 | ¥26.869333 | ¥13703.36 |
| 1020 | ¥24.182405 | ¥24666.05 |
制造商 Infineon
商标名 CoolSiC
商标 Infineon Technologies
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 4.7 A
漏源电阻 455 mOhms
栅极电压 - 7 V, + 23 V
栅源极阈值电压 5.7 V
栅极电荷 5.3 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21.5 ns
正向跨导(Min) 1 S
上升时间 0.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11.4 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IMW120R350M1H SP001808376
单位重量 6 g
购物车
0IMW120R350M1HXKSA1
型号:IMW120R350M1HXKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥42.643087 |
| 30+: | ¥34.033843 |
| 120+: | ¥30.451765 |
| 510+: | ¥26.869333 |
| 1020+: | ¥24.182405 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥42.64