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SQ2310ES-T1_GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SQ2310ES-T1_GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
渠道:
国内现货
自营
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:3000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
3000 2.406588 7219.76
6000 2.279884 13679.30
9000 2.110992 18998.93
30000 2.090155 62704.65

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 6 A

漏源电阻 24 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 4.5 nC

耗散功率 2 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 9 ns

上升时间 8 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 21 ns

典型接通延迟时间 7 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

零件号别名 SQ2310ES-T1_BE3

单位重量 1.438 g

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SQ2310ES-T1_GE3

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型号:SQ2310ES-T1_GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

3000+: ¥2.406588
6000+: ¥2.279884
9000+: ¥2.110992
30000+: ¥2.090155

货期:1-2天

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