MUN5114DW1T1G
库存 ：18656
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.977525 | ￥3.98 |
| 10 | ￥2.417111 | ￥24.17 |
| 100 | ￥1.502281 | ￥150.23 |
| 500 | ￥1.103305 | ￥551.65 |
| 1000 | ￥0.973882 | ￥973.88 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Dual
晶体管极性 PNP
典型输入电阻器 10 kOhms
典型电阻器比率 0.21
直流集电极 80
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极连续电流 - 0.1 A
峰值直流集电极电流 100 mA
耗散功率 250 mW
直流电流增益（Max） 80 at 5 mA at 10 V
外形参数
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
单位重量 6.200 mg
MUN5114DW1T1G 同类别型号
注
MUN5114DW1T1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-双极
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替代型号
、MUN5114DW1T1G
数据手册PDF。
MUN5114DW1T1G
型号：MUN5114DW1T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：18656 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥3.977525 |
| 10+： | ￥2.417111 |
| 100+： | ￥1.502281 |
| 500+： | ￥1.103305 |
| 1000+： | ￥0.973882 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.98