货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.54725 | ¥5.55 |
10 | ¥4.50714 | ¥45.07 |
100 | ¥3.067166 | ¥306.72 |
500 | ¥2.300722 | ¥1150.36 |
1000 | ¥1.725541 | ¥1725.54 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 20 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 8.9 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 4 S
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3E070BN
单位重量 5.577 g
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0RQ3E070BNTB
型号:RQ3E070BNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.54725 |
10+: | ¥4.50714 |
100+: | ¥3.067166 |
500+: | ¥2.300722 |
1000+: | ¥1.725541 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.55