
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.261725 | ¥785.17 |
| 6000 | ¥0.242787 | ¥1456.72 |
| 9000 | ¥0.201336 | ¥1812.02 |
| 30000 | ¥0.197759 | ¥5932.77 |
| 75000 | ¥0.17765 | ¥13323.75 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 210 mA
漏源电阻 7.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 352 pC
耗散功率 510 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.7 ns
上升时间 2.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 8.4 ns
典型接通延迟时间 3.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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02N7002H-7
型号:2N7002H-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.261725 |
| 6000+: | ¥0.242787 |
| 9000+: | ¥0.201336 |
| 30000+: | ¥0.197759 |
| 75000+: | ¥0.17765 |
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