货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.266496 | ¥3799.49 |
6000 | ¥1.202087 | ¥7212.52 |
9000 | ¥1.116208 | ¥10045.87 |
30000 | ¥1.090488 | ¥32714.64 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 8.4 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.2 ns
上升时间 4.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23.1 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3G100GN
单位重量 5.577 g
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0RQ3G100GNTB
型号:RQ3G100GNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.266496 |
6000+: | ¥1.202087 |
9000+: | ¥1.116208 |
30000+: | ¥1.090488 |
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