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起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥17.24481 | ¥17.24 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 46 A
漏源电阻 16 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 71 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.4 ns
正向跨导(Min) 15 S
上升时间 12.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 8.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
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0NTD5865NLT4G
型号:NTD5865NLT4G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥17.24481 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥17.24