
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥7.422641 | ¥7.42 |
| 10 | ¥6.366342 | ¥63.66 |
| 100 | ¥4.423609 | ¥442.36 |
| 500 | ¥3.453526 | ¥1726.76 |
| 1000 | ¥2.807044 | ¥2807.04 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 8.4 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.2 ns
上升时间 4.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23.1 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3G100GN
单位重量 5.577 g
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0RQ3G100GNTB
型号:RQ3G100GNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥7.422641 |
| 10+: | ¥6.366342 |
| 100+: | ¥4.423609 |
| 500+: | ¥3.453526 |
| 1000+: | ¥2.807044 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.42