货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥6.473748 | ¥6.47 |
10 | ¥5.552484 | ¥55.52 |
100 | ¥3.858106 | ¥385.81 |
500 | ¥3.012036 | ¥1506.02 |
1000 | ¥2.448198 | ¥2448.20 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 8.4 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.2 ns
上升时间 4.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23.1 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3G100GN
单位重量 5.577 g
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0RQ3G100GNTB
型号:RQ3G100GNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.473748 |
10+: | ¥5.552484 |
100+: | ¥3.858106 |
500+: | ¥3.012036 |
1000+: | ¥2.448198 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.47