
货期:国内(1~3工作日)
起订量:10
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10 | ¥3.924877 | ¥39.25 |
| 200 | ¥2.34135 | ¥468.27 |
| 800 | ¥1.638945 | ¥1311.16 |
| 3000 | ¥1.170675 | ¥3512.02 |
| 6000 | ¥1.112111 | ¥6672.67 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 8 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 8.2 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 8.1 nC
耗散功率 890 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22.7 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 22.6 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 30.1 ns
典型接通延迟时间 6.2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.800 mg
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0DMP1011UCB9-7
型号:DMP1011UCB9-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 10+: | ¥3.924877 |
| 200+: | ¥2.34135 |
| 800+: | ¥1.638945 |
| 3000+: | ¥1.170675 |
| 6000+: | ¥1.112111 |
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