SQ2310ES-T1_GE3
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- 制造商编号：
- SQ2310ES-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
- 渠道：
- digikey
库存 ：11273
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥10.991498 | ￥10.99 |
| 10 | ￥9.627036 | ￥96.27 |
| 100 | ￥7.383254 | ￥738.33 |
| 500 | ￥5.836613 | ￥2918.31 |
| 1000 | ￥4.66924 | ￥4669.24 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 4.5 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SQ2310ES-T1_BE3
单位重量 1.438 g
SQ2310ES-T1_GE3 同类别型号
注
SQ2310ES-T1_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SQ2310ES-T1_GE3
数据手册PDF。
SQ2310ES-T1_GE3
型号：SQ2310ES-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：11273 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥10.991498 |
| 10+： | ￥9.627036 |
| 100+： | ￥7.383254 |
| 500+： | ￥5.836613 |
| 1000+： | ￥4.66924 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥10.99