SIHU2N80E-GE3
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- 制造商编号：
- SIHU2N80E-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：3037
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥21.250671 | ￥21.25 |
| 10 | ￥19.012266 | ￥190.12 |
| 25 | ￥18.048903 | ￥451.22 |
| 100 | ￥13.536677 | ￥1353.67 |
| 250 | ￥13.407757 | ￥3351.94 |
| 500 | ￥11.473945 | ￥5736.97 |
| 1000 | ￥9.346753 | ￥9346.75 |
| 2500 | ￥9.217832 | ￥23044.58 |
| 5000 | ￥8.379847 | ￥41899.24 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 2.8 A
漏源电阻 2.38 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 9.8 nC
耗散功率 62.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 11 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
SIHU2N80E-GE3 同类别型号
注
SIHU2N80E-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SIHU2N80E-GE3、查询SIHU2N80E-GE3代理商；
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替代型号
、SIHU2N80E-GE3
数据手册PDF。
SIHU2N80E-GE3
型号：SIHU2N80E-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：3037 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥21.250671 |
| 10+： | ￥19.012266 |
| 25+： | ￥18.048903 |
| 100+： | ￥13.536677 |
| 250+： | ￥13.407757 |
| 500+： | ￥11.473945 |
| 1000+： | ￥9.346753 |
| 2500+： | ￥9.217832 |
| 5000+： | ￥8.379847 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥21.25