货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥3.865071 | ¥3.87 |
10 | ¥3.770545 | ¥37.71 |
30 | ¥3.71803 | ¥111.54 |
100 | ¥3.655013 | ¥365.50 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.4 A
漏源电阻 36 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 27 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
正向跨导(Min) 10 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 27 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 99 mg
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0SI8489EDB-T2-E1
型号:SI8489EDB-T2-E1
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥3.865071 |
10+: | ¥3.770545 |
30+: | ¥3.71803 |
100+: | ¥3.655013 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥3.87