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起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥1.86716 | ¥5601.48 |
6000 | ¥1.768904 | ¥10613.42 |
9000 | ¥1.637876 | ¥14740.88 |
30000 | ¥1.621697 | ¥48650.91 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 80 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 5.8 nC
耗散功率 1.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.6 ns
正向跨导(Min) 6.6 S
上升时间 2.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12.3 ns
典型接通延迟时间 2.6 ns
高度 1.3 mm
长度 3.1 mm
宽度 1.8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 15 mg
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0ZXMN6A08E6TA
型号:ZXMN6A08E6TA
品牌:DIODES
供货:锐单
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3000+: | ¥1.86716 |
6000+: | ¥1.768904 |
9000+: | ¥1.637876 |
30000+: | ¥1.621697 |
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