STQ1NK80ZR-AP
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- 制造商编号：
- STQ1NK80ZR-AP
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92
- 渠道：
- 自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.437316 | ￥3.44 |
| 10 | ￥2.917475 | ￥29.17 |
| 30 | ￥2.694686 | ￥80.84 |
| 100 | ￥2.471897 | ￥247.19 |
| 500 | ￥2.323371 | ￥1161.69 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STQ1NK80ZR-AP
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92
包装
Tape & Box (TB)
Alternate Packaging
系列
SuperMESH™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
300mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
16Ohm @ 500mA, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
7.7nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
160pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-92-3
封装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
STQ1NK80ZR-AP 同类别型号
注
STQ1NK80ZR-AP品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STQ1NK80ZR-AP
数据手册PDF。
STQ1NK80ZR-AP
型号：STQ1NK80ZR-AP
品牌：ST
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥3.437316 |
| 10+： | ￥2.917475 |
| 30+： | ￥2.694686 |
| 100+： | ￥2.471897 |
| 500+： | ￥2.323371 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.44