
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥53.555237 | ¥53.56 |
| 10 | ¥48.398498 | ¥483.98 |
| 25 | ¥46.148711 | ¥1153.72 |
| 100 | ¥38.270361 | ¥3827.04 |
| 250 | ¥36.019054 | ¥9004.76 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 38 A
漏源电阻 55 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 79 nC
耗散功率 178 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 98 ns
典型接通延迟时间 26 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPW60R055CFD7 SP001686062
单位重量 6 g
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0IPW60R055CFD7XKSA1
型号:IPW60R055CFD7XKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥53.555237 |
| 10+: | ¥48.398498 |
| 25+: | ¥46.148711 |
| 100+: | ¥38.270361 |
| 250+: | ¥36.019054 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥53.56