
货期:(7~10天)
起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥5.100161 | ¥12750.40 |
| 5000 | ¥4.76015 | ¥23800.75 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 45 A
漏源电阻 7.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 30 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导(Min) 45 S
上升时间 16 ns
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 360 mg
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0NVD5C478NLT4G
型号:NVD5C478NLT4G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 2500+: | ¥5.100161 |
| 5000+: | ¥4.76015 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00