IRF60B217
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- 制造商编号：
- IRF60B217
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 60A
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.503741 | ￥4.50 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 StrongIRFET
商标 Infineon / IR
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 7.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 44 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导（Min） 150 S
上升时间 37 ns
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 8.3 ns
外形参数
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF60B217 SP001571396
单位重量 2 g
IRF60B217 同类别型号
注
IRF60B217品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IRF60B217
数据手册PDF
。
IRF60B217
型号：IRF60B217
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.503741 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.50