货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥4.847018 | ¥4.85 |
59 | ¥4.575615 | ¥269.96 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 310 mA
漏源电阻 8.5 Ohms
栅极电压 - 40 V, + 40 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 2.6 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.5 ns
正向跨导(Min) 0.3 S
上升时间 1.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11.4 ns
典型接通延迟时间 1.25 ns
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 112 mg
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0ZVN4525GTA
型号:ZVN4525GTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.847018 |
59+: | ¥4.575615 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.85