CSD17308Q3
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- 制造商编号：
- CSD17308Q3
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 47A 8SON
- 渠道：
- 自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.807999 | ￥4.81 |
| 10 | ￥3.955672 | ￥39.56 |
| 30 | ￥3.529508 | ￥105.89 |
| 100 | ￥3.114272 | ￥311.43 |
| 500 | ￥2.666254 | ￥1333.13 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 10.3 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 3.9 nC
耗散功率 28 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.3 ns
上升时间 5.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 9.9 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns
规格参数
开发套件 BQ500211AEVM-210
外形参数
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 41 mg
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注
CSD17308Q3品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、CSD17308Q3
数据手册PDF
。
CSD17308Q3
型号：CSD17308Q3
品牌：TI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.807999 |
| 10+： | ￥3.955672 |
| 30+： | ￥3.529508 |
| 100+： | ￥3.114272 |
| 500+： | ￥2.666254 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.81