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SI4435DDY-T1-E3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI4435DDY-T1-E3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 9.1667 9.17
10 8.042252 80.42
100 6.16858 616.86
500 4.876685 2438.34
1000 3.901349 3901.35

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 11.4 A

漏源电阻 24 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 32 nC

耗散功率 5 W

通道模式 Enhancement

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI4435DDY-E3

单位重量 187 mg

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SI4435DDY-T1-E3

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型号:SI4435DDY-T1-E3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥9.1667
10+: ¥8.042252
100+: ¥6.16858
500+: ¥4.876685
1000+: ¥3.901349

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