
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥13.144181 | ¥13.14 |
| 10 | ¥11.344001 | ¥113.44 |
| 100 | ¥7.856507 | ¥785.65 |
| 500 | ¥6.564948 | ¥3282.47 |
| 1000 | ¥5.587279 | ¥5587.28 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 10.3 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 3.9 nC
耗散功率 28 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.3 ns
上升时间 5.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 9.9 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns
开发套件 BQ500211AEVM-210
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 41 mg
购物车
0CSD17308Q3
型号:CSD17308Q3
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥13.144181 |
| 10+: | ¥11.344001 |
| 100+: | ¥7.856507 |
| 500+: | ¥6.564948 |
| 1000+: | ¥5.587279 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.14