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起订量:8000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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8000 | ¥0.598691 | ¥4789.53 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 16 nC
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60 ns
正向跨导(Min) 3.5 S
上升时间 40 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 160 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 0.65 mm
长度 1.7 mm
宽度 1.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Power MOSFET
零件号别名 RW1A025AP
单位重量 3 mg
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0RW1A025APT2CR
型号:RW1A025APT2CR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
8000+: | ¥0.598691 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00