货期: 8周-10周
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥9.594325 | ¥28782.97 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 620 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 900 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 78 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
上升时间 10 ns
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0SIHD6N62E-GE3
型号:SIHD6N62E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥9.594325 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00