
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥21.068627 | ¥21.07 |
| 10 | ¥18.88226 | ¥188.82 |
| 100 | ¥14.720213 | ¥1472.02 |
| 500 | ¥12.160177 | ¥6080.09 |
| 1000 | ¥9.60014 | ¥9600.14 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 121 A
漏源电阻 4.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 27 nC
耗散功率 120 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.6 ns
正向跨导(Min) 100 S
上升时间 8.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 240 mg
购物车
0CSD18503Q5A
型号:CSD18503Q5A
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥21.068627 |
| 10+: | ¥18.88226 |
| 100+: | ¥14.720213 |
| 500+: | ¥12.160177 |
| 1000+: | ¥9.60014 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥21.07